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ECJ240021按鍵開關(guān)芯片SOT23-6短按開長按關(guān)一鍵開關(guān)機專用芯片

ES5915-654852長按1.5秒開關(guān)機芯片一．功能說明供電范圍：DC2.0-5.0V。輕觸按鍵輸入兩路信號同步輸出：OUTH高有效、OUTL低有效。上電OUTL為高電平、OUTH為低電平，長按KEY鍵 1.5秒，OUTH輸出高電平，OUTL輸出低電平，再次長按KEY鍵 1.5秒關(guān)機，OUTH翻轉(zhuǎn)為低電平，OUTL翻轉(zhuǎn)為高電平。二．電氣參數(shù)（VDD=5.0V TA=25℃）工作電壓：2.0V-5.0V工作電流：1uA靜態(tài)電流：1uA驅(qū)動電流低電平輸出：15mA驅(qū)動電流高電平輸出：10mA工作溫度：-10攝氏度-+60攝氏度儲存溫度：-25攝氏度-+125攝氏度三．電路圖參考電源開關(guān)芯片*C2電容可根據(jù)電源實際需要調(diào)整或省略四．封裝尺寸圖（SOT23-6）

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EH3810長按開關(guān)機芯片超低功耗延時1秒自鎖電子開關(guān)芯片

EH3810-518E-2911長按1秒開關(guān)機芯片技術(shù)解析一、核心功能與工作原理EH3810-518E-2911是一款專為便攜式電子設(shè)備設(shè)計的智能開關(guān)控制芯片，采用SOT23-6超緊湊封裝，在僅2.0×1.6mm的占板面積內(nèi)實現(xiàn)了完整的電源管理功能。該芯片通過獨創(chuàng)的時序控制邏輯，實現(xiàn)了精確到毫秒級的按鍵檢測：當(dāng)檢測到持續(xù)1秒±50ms的有效按鍵信號時，內(nèi)部狀態(tài)機將執(zhí)行電平翻轉(zhuǎn)操作。上電初始狀態(tài)下，OUTH引腳保持低電平（0.4V max @ 14mA），OUTL引腳維持高電平（VDD-0.3V min @ 6mA），這種默認狀態(tài)特別適合需要安全啟動的電子設(shè)備。二、電氣特性深度分析在3.0V工作電壓、25℃環(huán)境溫度下的實測數(shù)據(jù)顯示： - 動態(tài)工作電流穩(wěn)定在5μA±0.5μA，配合其2.2-5V

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萬勝智能申請基于智能電能表線性電源的負荷開關(guān)驅(qū)動系統(tǒng)及方法專利，能驅(qū)動大功率負荷開關(guān)可靠動作

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江萬勝智能科技股份有限公司申請一項名為“基于智能電能表線性電源的負荷開關(guān)驅(qū)動系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121333071A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及智能電能表電源技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及基于智能電能表線性電源的負荷開關(guān)驅(qū)動系統(tǒng)及方法，線性電源模塊將交流電壓隔離降壓、整流濾波，輸出第一直流電壓，此電壓經(jīng)DC?DC降壓模塊得到第二直流電壓，第二直流電壓給MCU微控制器供電外還給法拉電容儲能模塊恒壓充電，能在短時間內(nèi)完成儲能模塊充電，當(dāng)電能表MCU微控制器接收到“合閘/分閘”指令時，控制模塊發(fā)出升壓使能信號，DC?DC升壓模塊啟動，將法拉電容端電壓泵升至第三直流電壓，驅(qū)動模塊輸出大電流脈沖驅(qū)動大功率負荷開關(guān)可靠動作，動作完成，DC?DC升壓模塊關(guān)閉

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廈門廈華科技取得自動開關(guān)假負載電路專利，能有效抑制開關(guān)電源的輸出電壓飄高

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廈門廈華科技有限公司取得一項名為“自動開關(guān)假負載電路”的專利，授權(quán)公告號CN223816095U，申請日期為2024年11月。專利摘要顯示，本實用新型公開了一種自動開關(guān)假負載電路，其包括電壓采樣單元、電子開關(guān)單元和假負載單元；電壓采樣單元的輸入端和電子開關(guān)單元的輸入端連接該自動開關(guān)假負載電路的接入端，該自動開關(guān)假負載電路的接入端用于連接開關(guān)電源的輸出端；電壓采樣單元的輸出端連接電子開關(guān)單元的控制端，電子開關(guān)單元的輸出端連接假負載單元的輸入端，假負載單元的輸出端接地。本實用新型能有效抑制開關(guān)電源的輸出電壓飄高，同時能減少開關(guān)電源的功耗。天眼查資料顯示，廈門廈華科技有限公司，成立于2014年，位于廈門市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本

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威勝信息申請基于感算通位SOC芯片的智能開關(guān)專利，解決了現(xiàn)有智能開關(guān)散熱性差及通信延時大可靠性低的問題

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江蘇信保展機電科技取得高壓開關(guān)三工位操作機構(gòu)間歇動作傳動結(jié)構(gòu)專利，實現(xiàn)對隔離開關(guān)、接地開關(guān)分合閘動作的精確控制

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇信保展機電科技有限公司取得一項名為“一種高壓開關(guān)三工位操作機構(gòu)的間歇動作傳動結(jié)構(gòu)”的專利，授權(quán)公告號CN223612299U，申請日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實用新型公開了一種高壓開關(guān)三工位操作機構(gòu)的間歇動作傳動結(jié)構(gòu)，包括機殼，機殼上設(shè)置有動力傳遞部與動力接收部，動力傳遞部包括撥盤，撥盤上設(shè)置有鎖止弧，撥盤的兩側(cè)均設(shè)置有輥軸；動力接收部包括槽輪板，槽輪板上固定連接有主動齒輪，槽輪板的側(cè)壁上開設(shè)有兩個溝槽，槽輪板的側(cè)壁上開設(shè)有三個鎖止槽，兩個溝槽的開口分布在三個鎖止槽之間，撥盤上設(shè)置有鎖止弧。本實用新型通過撥盤上的輥軸與槽輪板上的溝槽設(shè)計，使得撥盤在旋轉(zhuǎn)過程中能夠間歇性地驅(qū)動槽輪板及其上的主動齒輪轉(zhuǎn)動。這種間歇傳動方式實現(xiàn)了對隔離開關(guān)、接地開關(guān)分合閘動作的

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國產(chǎn)芯片技術(shù)突破 + 存儲市場超級牛市，半導(dǎo)體板塊全線爆發(fā)，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）表現(xiàn)強勢

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預(yù)計今年 6 月通線，標(biāo)志著我國在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級

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眸芯科技申請芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法專利，改進了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊，以對芯片的目標(biāo)模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進行補充或替

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全球存儲芯片供應(yīng)持續(xù)緊張！科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲超2%！

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達12.90億元，換手率達2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預(yù)計持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅達500%，行業(yè)預(yù)計2027年前存儲芯片價

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旗捷科技申請耗材芯片升級方法專利，能夠?qū)崿F(xiàn)對不同類型的耗材芯片的升級

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘栆约靶盘栠x擇模塊傳輸?shù)牡诙盘枺桓鶕?jù)第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號選擇模

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