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一、概述高低壓開關(guān)柜磨合試驗(yàn)臺(tái)中的機(jī)械壽命磨合儀是專為高壓開關(guān)設(shè)計(jì)的磨合測(cè)試設(shè)備，具備同時(shí)控制6臺(tái)斷路器進(jìn)行獨(dú)立磨合測(cè)試的能力。該設(shè)備以智能控制器為核心，實(shí)現(xiàn)了參數(shù)設(shè)定的直觀化和時(shí)序控制的簡便化，顯著提高了工作效率。同時(shí)，它克服了傳統(tǒng)時(shí)間繼電器控制能力差、易導(dǎo)致分合閘線圈燒毀的缺點(diǎn)，有效保護(hù)了高壓開關(guān)的完好性。其操作簡單，是高壓開關(guān)設(shè)計(jì)和測(cè)試領(lǐng)域的理想工具。二、主要功能詳解操作功能：支持單分、單合操作，滿足基本測(cè)試需求。提供低電壓試驗(yàn)功能，電壓范圍40~120%Un（額定電壓），用于評(píng)估開關(guān)在低電壓條件下的性能?？蛇M(jìn)行壽命試驗(yàn)，模擬開關(guān)長期運(yùn)行后的性能變化。報(bào)警功能：當(dāng)高壓開關(guān)出現(xiàn)拒合、拒分、誤合、誤分等異常情況時(shí)，試驗(yàn)臺(tái)立即發(fā)出報(bào)警提示，并自動(dòng)切斷電源，停止操作，確保安全。某一工位出現(xiàn)問題

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，武漢中直電氣股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種基于零電壓軟開關(guān)雙向DC-DC變換器”的專利，公開號(hào)CN121356350A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及直流DC?DC變換技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種基于零電壓軟開關(guān)雙向DC?DC變換器，包括：高壓側(cè)全橋電路，所述高壓側(cè)全橋電路由四個(gè)高壓開關(guān)管S1～S4、對(duì)應(yīng)開關(guān)管的體二極管D1～D4及結(jié)電容C1～C4組成，所述高壓側(cè)全橋電路的輸出端并聯(lián)有高壓側(cè)濾波電容Ch，用于穩(wěn)定高壓側(cè)電壓Uh，低壓側(cè)全橋電路，所述低壓側(cè)全橋電路由四個(gè)低壓開關(guān)管S5～S8、對(duì)應(yīng)開關(guān)管的體二極管D5～D8及結(jié)電容C5～C8組成。該基于零電壓軟開關(guān)雙向DC?DC變換器，通過諧振網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)全橋開關(guān)管的零電壓開通與關(guān)斷，顯著降低開關(guān)損耗，尤其在高

一、產(chǎn)品概述全自動(dòng)高壓開關(guān)溫升試驗(yàn)裝置是武漢鄂電電力試驗(yàn)設(shè)備有限公司研發(fā)的第三代專業(yè)設(shè)備，專為繞組、電線、電纜、銅排等試品的溫升試驗(yàn)設(shè)計(jì)。該裝置采用先進(jìn)的微電子處理技術(shù)，支持全流程自動(dòng)化測(cè)試，通過全中文界面實(shí)現(xiàn)參數(shù)設(shè)置、數(shù)據(jù)采集及結(jié)果分析，具有高可靠性、高精度和智能化操作特點(diǎn)，可顯著提升試驗(yàn)效率并降低人工干預(yù)需求。二、核心功能與優(yōu)勢(shì)全自動(dòng)化控制試驗(yàn)參數(shù)預(yù)設(shè)后一鍵啟動(dòng)，全程無需人工干預(yù)，自動(dòng)完成電流調(diào)節(jié)、數(shù)據(jù)記錄及試驗(yàn)終止。支持遠(yuǎn)程切換交流/直流輸出模式，避免手動(dòng)操作風(fēng)險(xiǎn)。高精度電流控制電流穩(wěn)定度不受被試品溫升或電網(wǎng)電壓波動(dòng)影響，輸出精度達(dá)±1% ±1A，穩(wěn)定后平均誤差＜2A。智能控制電流上升速度，接近目標(biāo)值時(shí)自動(dòng)減速，防止過沖。多重安全保護(hù)熱保護(hù)：調(diào)壓器、大電流變壓器等部位配備過熱停機(jī)功能。

這是(xiexinke79)整理的信息，希望能幫助到大家在工業(yè)自動(dòng)化和電子設(shè)備領(lǐng)域，接近開關(guān)作為一種常見的傳感器，其價(jià)格構(gòu)成和影響因素常被使用者關(guān)注。接近開關(guān)的核心功能是在不接觸物體的情況下檢測(cè)其存在或位置，這一特性使其在機(jī)械設(shè)備、生產(chǎn)線和安全防護(hù)中廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的機(jī)械開關(guān)或光學(xué)傳感器相比，接近開關(guān)在耐用性和環(huán)境適應(yīng)性上表現(xiàn)不同，這直接反映在價(jià)格差異上。首先，接近開關(guān)的價(jià)格受多種因素影響。其中，技術(shù)類型是關(guān)鍵。常見的接近開關(guān)包括電感式、電容式和霍爾效應(yīng)式等。電感式接近開關(guān)主要用于檢測(cè)金屬物體，其價(jià)格通常較低，因?yàn)榧夹g(shù)成熟且生產(chǎn)規(guī)模大。例如，一個(gè)基礎(chǔ)的電感式接近開關(guān)價(jià)格可能在幾十元人民幣范圍內(nèi)。相比之下，電容式接近開關(guān)能檢測(cè)非金屬物體，如塑料或液體，因此技術(shù)更復(fù)雜，價(jià)格可能稍高，可能在幾百元

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場進(jìn)入 “超級(jí)

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，微芯片技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“用于離散時(shí)間模擬前端的改善型離散時(shí)間線性均衡器”的專利，公開號(hào)CN121220010A，申請(qǐng)日期為2024年4月。專利摘要顯示，一種裝置包括離散時(shí)間線性均衡器電路。離散時(shí)間線性均衡器電路包括采樣和保持電路，該采樣和保持電路包括多個(gè)開關(guān)電容器電路。多個(gè)開關(guān)電容器電路至少包括預(yù)光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路、光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路和后光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路。時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)開關(guān)電路用于在第一時(shí)間段內(nèi)將預(yù)光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號(hào)輸入部，在第二時(shí)間段內(nèi)將光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號(hào)輸入部，并且在第三時(shí)間段內(nèi)將后光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號(hào)輸入部。時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)開關(guān)電路用于在第四時(shí)間段內(nèi)將

芯片開封的定義芯片開封，即Decap，是一種對(duì)完整封裝的集成電路（IC）芯片進(jìn)行局部處理的工藝。其目的是去除芯片的封裝外殼，暴露出芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，同時(shí)確保芯片功能不受損。芯片開封是芯片故障分析實(shí)驗(yàn)的重要準(zhǔn)備環(huán)節(jié)，能夠保護(hù)芯片的Die、bond pads、bond wires及l(fā)ead等關(guān)鍵部分，為后續(xù)的失效分析測(cè)試提供便利，便于進(jìn)行熱點(diǎn)定位、聚焦離子束（FIB）等測(cè)試操作。芯片開封的方法1.激光開封激光開封是利用激光束的能量作用于芯片塑封表面，通過氣化作用去除器件填充料。這種方法具有顯著優(yōu)勢(shì)，操作速度快，過程簡便，且相對(duì)安全，無危險(xiǎn)性。激光開封能夠精準(zhǔn)地去除封裝材料，而不會(huì)對(duì)芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成不必要的損傷，因此在芯片開封領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。。2.化學(xué)腐蝕化學(xué)腐蝕則依賴于特定的化學(xué)試劑，如濃硫酸、

來源：界面新聞截至2026年1月21日 11:11，上證科創(chuàng)板芯片設(shè)計(jì)主題指數(shù)(950162)強(qiáng)勢(shì)上漲5.48%，科創(chuàng)芯片設(shè)計(jì)ETF易方達(dá)(589030)一度漲超6%，現(xiàn)漲5.46%，盤中換手32.78%，成交9733.35萬元，市場交投活躍。消息面上，國務(wù)院新聞辦公室舉行新聞發(fā)布會(huì)，請(qǐng)工業(yè)和信息化部相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹2025年工業(yè)和信息化發(fā)展成效以及下一步部署。他表示，下一步，我們將抓好技術(shù)創(chuàng)新，加快突破訓(xùn)練芯片、異構(gòu)算力等關(guān)鍵技術(shù)。抓好融合應(yīng)用，聚焦軟件編程、新材料研發(fā)、醫(yī)藥研發(fā)、信息通信等行業(yè)領(lǐng)域，體系化推動(dòng)大小模型、智能體實(shí)現(xiàn)突破。AI算力需求持續(xù)爆發(fā)，推動(dòng)先進(jìn)制程技術(shù)加速迭代。財(cái)通證券指出，臺(tái)積電2025年第四季度營收創(chuàng)歷史新高，先進(jìn)制程（7nm及以下）營收占比提升至77%，其中3nm

在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，寬輸入電壓、高效率的升壓解決方案一直是工程師關(guān)注的重點(diǎn)。今天以 H6801 這款電流模式 BOOST 異步升壓控制芯片為例，簡單談?wù)勂湓O(shè)計(jì)特點(diǎn)與應(yīng)用思路。一、適應(yīng)寬電壓輸入范圍H6801 支持 2.7V 至 25V 的輸入電壓，啟動(dòng)電壓可低至 2.5V。這樣的寬范圍輸入特性，使其能夠兼容多種電源環(huán)境，例如單節(jié)鋰電、多節(jié)串聯(lián)電池或適配器供電場景。芯片內(nèi)部集成了 40V LDO，進(jìn)一步增強(qiáng)了供電穩(wěn)定性。二、多模式自動(dòng)切換與效率表現(xiàn)該芯片可根據(jù)負(fù)載情況，在 PWM、PFM 及 BURST 模式之間自動(dòng)切換。輕載時(shí)采用 PFM 或 BURST 模式有助于降低損耗，重載時(shí)則以 PWM 模式維持穩(wěn)定輸出。這種動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)機(jī)制有助于在全負(fù)載范圍內(nèi)保持較高的轉(zhuǎn)換效率，典型效率可大于95%。在輸出