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國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華北電力大學(xué);國網(wǎng)福建省電力有限公司電力科學(xué)研究院;國網(wǎng)福建省電力有限公司申請一項(xiàng)名為“一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置”的專利，公開號(hào)CN121355892A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本申請公開了一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置，涉及新能源并網(wǎng)技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括計(jì)算直流送出系統(tǒng)的送端交流母線的直流電流可行域，在換相失敗情況下，在所述直流電流可行域的約束下，輸出直流電流指令；所述直流送出系統(tǒng)包括換相失敗情況和正常工況兩種情況；構(gòu)建新能源二階滑模無功控制策略；在換相失敗情況下，采用所述新能源二階滑模無功控制策略對所述新能源并網(wǎng)逆變器的電流分量、直流側(cè)電壓和無功功率指令值進(jìn)行控制，本申請可降低了送端的無功冗余，抑制了

國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，芯瞳半導(dǎo)體技術(shù)（廈門）有限公司申請一項(xiàng)名為“多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片”的專利，公開號(hào)CN121351726A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片。本公開的技術(shù)方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過讀取多核芯片上至少一個(gè)計(jì)算核心的缺陷狀態(tài)，可以確定出計(jì)算核心內(nèi)可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時(shí)，配置計(jì)算核心內(nèi)的控制寄存器關(guān)閉第一邏輯分組，同時(shí)保持計(jì)算核心內(nèi)不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運(yùn)行狀態(tài)，不影響計(jì)算核心的功能電路邏輯。該技術(shù)方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路

高壓放大器在半導(dǎo)體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號(hào)精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴(yán)苛的測試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個(gè)關(guān)鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試：對芯片的絕緣層施加從低到高（可達(dá)±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化，以評估其長期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護(hù)機(jī)制。壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)（MEMS傳感器）：驅(qū)動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)中的壓電元件，實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)或傳感。需求：能夠驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載、高輸出電流（峰值可達(dá)百mA級）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試：為