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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，武漢中直電氣股份有限公司申請一項名為“一種基于零電壓軟開關(guān)雙向DC-DC變換器”的專利，公開號CN121356350A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及直流DC?DC變換技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種基于零電壓軟開關(guān)雙向DC?DC變換器，包括：高壓側(cè)全橋電路，所述高壓側(cè)全橋電路由四個高壓開關(guān)管S1～S4、對應(yīng)開關(guān)管的體二極管D1～D4及結(jié)電容C1～C4組成，所述高壓側(cè)全橋電路的輸出端并聯(lián)有高壓側(cè)濾波電容Ch，用于穩(wěn)定高壓側(cè)電壓Uh，低壓側(cè)全橋電路，所述低壓側(cè)全橋電路由四個低壓開關(guān)管S5～S8、對應(yīng)開關(guān)管的體二極管D5～D8及結(jié)電容C5～C8組成。該基于零電壓軟開關(guān)雙向DC?DC變換器，通過諧振網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)全橋開關(guān)管的零電壓開通與關(guān)斷，顯著降低開關(guān)損耗，尤其在高

高壓放大器在半導(dǎo)體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴(yán)苛的測試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個關(guān)鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試：對芯片的絕緣層施加從低到高（可達±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化，以評估其長期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅(qū)動（MEMS傳感器）：驅(qū)動微機電系統(tǒng)中的壓電元件，實現(xiàn)精密運動或傳感。需求：能夠驅(qū)動容性負(fù)載、高輸出電流（峰值可達百mA級）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試：為

掌握高壓假負(fù)載測試方法：有效保障電力設(shè)備運行穩(wěn)定性與能耗控制大功率高壓發(fā)電機組滿負(fù)荷測試時，產(chǎn)生的熱量足以考驗任何負(fù)載柜的耐壓能力，而一套科學(xué)的測試方法卻能化險為夷。在電力保障系統(tǒng)中，應(yīng)急發(fā)電機組被視為“最后一棵救命稻草”。然而，這些設(shè)備長期處于待機狀態(tài)，僅依靠日?？蛰d測試難以評估其真實帶載能力。假負(fù)載測試技術(shù)通過模擬各種功率負(fù)載條件，對發(fā)電機組、UPS、高壓電源等設(shè)備的輸出功率與帶載能力進行精確檢測，成為保障電力設(shè)備穩(wěn)定運行的關(guān)鍵手段。隨著高壓發(fā)電機組輸出電壓達到萬伏級別，對負(fù)載柜的耐壓能力提出極高要求，掌握高壓假負(fù)載測試方法已成為電力維護人員的必備技能。 01 高壓假負(fù)載的測試原理假負(fù)載，顧名思義，是一種替代真實負(fù)載的電子設(shè)備，用于模擬實際運行條件下電力設(shè)備的輸出特性。電子假負(fù)載通過功率

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，仝瑞半導(dǎo)體科技（上海）有限公司取得一項名為“一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測試用插座”的專利，授權(quán)公告號CN223815386U，申請日期為2025年1月。專利摘要顯示，本實用新型提出一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測試用插座，包括測試底座、浮動支座、芯片保持座和頂蓋，浮動支座底部滑動扣合于測試底座頂部的浮動凸部，緊貼浮動支座的上表面設(shè)有芯片保持座，緊貼所述芯片保持座的頂部設(shè)有頂蓋。本實用新型通過將頂蓋蓋設(shè)于芯片保持座上且向下按壓，直至頂蓋兩側(cè)所設(shè)扣件底部的扣齒與測試底座兩側(cè)的扣槽相扣合，在按壓過程中，待測芯片的引腳被配合插入引腳插孔支座上所設(shè)的引腳插孔中，從而實現(xiàn)待測芯片的裝配連接，裝配簡單。天眼查資料顯示，仝瑞半導(dǎo)體科技（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以從

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊，以對芯片的目標(biāo)模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進行補充或替

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江唐鋒能源科技有限公司取得一項名為“一種電堆升降臺架”的專利，授權(quán)公告號CN223823295U，申請日期為2025年4月。專利摘要顯示，本實用新型提供一種電堆升降臺架，涉及燃料電池和電解水測試技術(shù)領(lǐng)域，包括底座，底座設(shè)有升降裝置和儲液罐，升降裝置的升降端連接有稱重裝置，稱重裝置的稱重面安裝有傾斜活動裝置，傾斜活動裝置的傾斜活動面安裝有測試臺，測試臺內(nèi)設(shè)有測試槽；儲液罐連接有排液管，排液管的一端連通于測試槽。本實用新型通過設(shè)置升降裝置使得測試臺可以根據(jù)電堆尺寸升降至合適的位置，從而滿足了多種尺寸電堆測試的需求。通過在測試臺的下方設(shè)置傾斜活動裝置，從而可以根據(jù)積水的量調(diào)節(jié)傾斜度，從而使其快速排水，減小安全隱患。通過設(shè)置稱重裝置，從而可以在穩(wěn)定狀態(tài)下對電堆進行質(zhì)量測量，

高壓功率放大器在ESR（等效串聯(lián)電阻）測試中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。以下是其具體應(yīng)用和助力方式：1.提供高功率信號在測試大容量電容或高電壓電容時，需要高功率信號來驅(qū)動電容。高壓功率放大器能夠?qū)⑿盘柊l(fā)生器產(chǎn)生的低功率信號放大到足夠高的功率水平，確保電容能夠正常工作并進行測試。2.精確控制測試信號高壓功率放大器可以精確控制輸出信號的幅值、頻率和相位，從而實現(xiàn)對電容的精確測試。通過調(diào)節(jié)高壓功率放大器的輸出，可以模擬不同的工作條件，評估電容在各種條件下的性能。圖：基于功率放大器的電容ESR測試3.提高測量精度高壓功率放大器能夠提供穩(wěn)定且精確的信號，從而提高測量的精度和可靠性。在高精度電容測試中，高壓功率放大器的低噪聲和高線性度特性可以有效減少測量誤差。4.加速測試過程高壓功率放大器的高效信號輸出可以加

超高壓大功率放大器是一種能夠提供極高電壓和高功率輸出的設(shè)備，它在各種科學(xué)實驗和技術(shù)應(yīng)用中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。這種設(shè)備不僅能夠提供穩(wěn)定的電壓和功率輸出，還能精確控制實驗參數(shù)，從而確保實驗結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。以下是超高壓大功率放大器能夠進行的幾種主要實驗及其詳細(xì)分析。1.高壓放電實驗超高壓大功率放大器在高壓放電實驗中扮演著核心角色。它可以提供足夠的電壓和功率，驅(qū)動氣體放電管、閃光燈等器件進行放電實驗。這些實驗包括氣體放電研究、等離子體物理實驗和光譜分析等。通過高壓放大器提供的電壓和功率，可以產(chǎn)生穩(wěn)定而強大的放電效果，從而探索各種物理現(xiàn)象及其背后的機制。例如，在等離子體物理實驗中，高壓放電可以產(chǎn)生高溫、高密度的等離子體，這對于研究核聚變、天體物理等領(lǐng)域具有重要意義。2.電場實驗電場實驗是另一種